极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography, EUVL）是以13.5nm的EUV光为曝光光源的投影光刻技术，被公认为是最具潜力的下一代光刻技术。目前，世界上只有少数几家研究机构及公司掌握此技术，并对我国形成了技术封锁。
光电所微电子装备总体研究室长期致力于光刻技术研究，在工件台、真空系统、检焦对准等方面积累了丰富的工程技术经验。在该课题中，负责研制EUV曝光装置的机械和真空系统，以满足曝光对掩模和基片装卡、定位、调焦等位置要求，以及曝光装置对减振、真空和输片要求，研制内容包括：真空系统、整机框架及减振系统、硅片台及波像差测量像方台系统、掩模台及波像差测量物方台系统、自动输片系统、调平调焦检测系统和软件系统。
经过8年的技术攻关，光电所团队突破了真空、输片、工件台、减振和检焦等关键单元技术：真空系统实现5.8×10-7Torr稳定的高真空环境，保证了EUV光源传播的稳定性；整机框架及减振系统达到VC-F减振标准，水平方向2.2Hz-500Hz、垂直方向2Hz-500Hz频率范围隔振效果良好，框架、工件台及掩模台稳定性满足32nm光刻需求和亚纳米级波像差检测；调平调焦检测系统实现了纳米级检测精度，为32nm光刻分辨力的连续多次复现提供了保障。同时，在已有基础上发展了多工件台协同控制技术，解决了硅片台与像方台、掩模台与物方台的同时控制和位置切换问题；自动输片系统实现真空环境中的全自动上下片；软件系统完成多模块复杂控制，协调各分系统完成曝光流程。所完成的内容多、精度高、外形美观、工作可靠、自动化程度较高，配合项目总体单位长春光机所实现32nm可重复曝光以及配合上海光机所实现亚纳米波像差检测发挥了较大作用，受到项目总体单位、各课题单位及验收组专家好评。
该课题研制任务的顺利完成表明我国现已突破EUV光刻设备研发的核心技术，形成了国内领先、国际先进水平的研究队伍，为《中国制造2025》中在2030实现EUV光刻机国产化的计划增强了信心。